حافظه بافر DRAM
دارای فناوری SLC Caching
پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابیها: 2000000 ساعت
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ساختار NAND Flash از نوع 3D QLC
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
کنترلر JMicron
نوع فلش:MLC
میانگین عمر:1,200,000 ساعت
سرعت تصادفی خواندن 4K تا 68 IOPS ، نوشتن 4K تا 68 IOPS