حافظه بافر DRAM
دارای فناوری SLC Caching
پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعت
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
حافظه بافر DRAM
دارای فناوری SLC Caching
پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعت
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
کنترلر Realtek
چیپ فلش: 3D NAND MLC
دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد
دمای محیط 40- تا 85 درجه سانتیگراد
سازگاری با استاندارد NVMe 1.2
دارای قابلیت‌های Intelligent SLC Caching و DRAM Cache Buffer
دارای گواهینامه‌های RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
