ساختار NAND Flash از نوع 3D QLC
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
حافظه بافر DRAM
پشتیبانی از NVMe 1.3
دارای فناوری SLC Caching
دارای فناوری اصلاح خطا LDPC ECC
ساختار حافظه 3D NAND Flash
پشتیبانی از RAID و محافظت اطلاعات E2E
میانگین زمان بین خرابیها: 2000000 ساعت
دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
حافظه بافر DRAM
پشتیبانی از NVMe 1.3
دارای فناوری SLC Caching
دارای فناوری اصلاح خطا LDPC ECC
ساختار حافظه 3D NAND Flash
پشتیبانی از RAID و محافظت اطلاعات E2E
میانگین زمان بین خرابیها: 2000000 ساعت
دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد