حافظه بافر DRAM
دارای فناوری SLC Caching
پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعت
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
حافظه بافر DRAM
دارای فناوری SLC Caching
پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعت
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
کنترل کننده Realtek
پشتیبانی از NVMe 1.3
سرعت خواندن و نوشتن بالا
مجهز به هیت سینک خنک کننده
پشتیبانی از SLC Caching و HMB Host Memory Buffer
بکارگیری 3D TLC NAND Flash نسل دوم با قابلیت فراهم کردن چگالی نگهداری و قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به 2D NAND
