حافظه بافر DRAM
دارای فناوری SLC Caching
پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابیها: 2000000 ساعت
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
دارای فناوری SLC Caching
دارای فناوری اصلاح خطا LDPC-ECC
پشتیبانی از NVMe 1.3
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابیها: 2000000 ساعت
دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد