حافظه بافر DRAM
دارای فناوری SLC Caching
پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعت
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
پشتیبانی از NVMe 1.3
پیشتیبانی از تکنولوژی پیشرفته LDPC ECC
پشتیبانی از SLC Caching برای افزایش بهره وری
پشتیبانی از رمزنگاری AES 256-bit
طراحی با فرم فکتور فشرده M.2 2280 مناسب برای کامپیوترهای مخصوص بازی و جدیدترین سیستم ها
