حافظه بافر DRAM
دارای فناوری SLC Caching
پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعت
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
فناوری پیشرفته BCH ECC
فناوری فوق سریع pSLC Cache
کنترل SSD بوسیله جعبه ابزار "SSD Toolbox"
DDR3 DRAM Cache Buffer برای بهبود انتقال داده ها
پشتیبانی از NCQ ، S.M.A.R.T. و فرمان TRIM در ویندوز
حافظه NAND Flash چند سطحى ( MLC PLUS ) با روش مرتب‌سازی NAND پیشرفته
