حافظه بافر DRAM
دارای فناوری SLC Caching
پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعت
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ساختار NAND Flash از نوع 3D QLC
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
کنترلر Silicon Motion
چیپ فلش: 3D NAND MLC
فناوری SLC Caching
نرم‌افزارهای SSD Toolbox و Migration Utility
فناوری اصلاح خطای LDPC ECC
دارای فناوری‌های SLC Caching و DRAM Cache Buffer
پشتیبانی از S.M.A.R.T
دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد
دمای محیط 40- تا 85 درجه سانتیگراد
دارای گواهینامه‌های RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI
سرعت تصادفی: خواندن 4K تا 90K IOPS ، نوشتن 4K تا 85K IOPS
