حافظه بافر DRAM
دارای فناوری SLC Caching
پشتیبانی از LDPC برای اصلاح خطا
ساختار حافظه 3D NAND Flash
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
میانگین زمان بین خرابیها: 2000000 ساعت
دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ساختار NAND Flash از نوع 3D QLC
دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
کنترلر Silicon Motion
چیپ فلش: 3D NAND MLC
فناوری SLC Caching
راهکار بهینهسازی مصرف انرژی:DEVSLP, PNYSLP
سرعت تصادفی: خواندن 4K تا 90K IOPS ، نوشتن 4K تا 85K IOPS